近日，外媒報道，堆疊式RGB Micro LED微型顯示器開發商Sundiode宣布，與GaN技術開發商Soft-Epi共同實現在單個藍寶石晶圓上生長單片全InGaN RGB LED結構。
圖片來源：Sundiode
資料顯示，Sundiode總部位于美國加州，致力于開發用于AR/MR等設備的Micro LED顯示技術。2021年4月，Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術。與傳統Pick & Place工藝單獨轉移R/G/B三個像素方式不同，Sundiode的專有技術，只需將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到硅基CMOS背板上。
據了解，Sundiode的外延技術使得開發多結（Multiple junctions）堆疊式RGB LED芯片成為了可能，芯片能夠獨立地發出RGB光色。采用這種芯片結構，制造商更易于生產出超高密度微型顯示器。
Sundiode表示，由于在晶圓上測試采用了快速檢查方法，單片RGB LED結構可作為級聯多結LED（Cascade multi-junction LED）工作，檢測所發出的光線則證實級聯LED的正常運作。
本次研發的合作方Soft-Epi來自韓國，作為一家GaN技術開發商，已在2021年成功開發基于GaN的紅、藍、綠光LED。而在去年，Soft-Epi開發出號稱韓國首款的紅色GaN外延片，目前該產品已量產出貨。
（來源：MiniLED網 MicroLED網）
